作者darksoul8507 (soul)
看板Electronics
标题[问题] 关於先进制程类比电路设计
时间Sat Apr 17 18:32:30 2021
各位版上大大好：
小弟现在在使用40nm的制程，
VDD电压很低，
本来小弟的设计流程是会先跑个nmos和pmos的模拟，
从hspice的lis档得知大概的uCox,VA,vth,gamma值，
接着开始如史密斯电子学内所教的来设计电路。
以前是使用350nm和180nm制程，但现在换成使用40nm制程，
但发现那些得到与算出来的参数与模拟出来的结果有很大的不同，已经确定不是计算错误
了。
想请问各位前辈可以分享先进制程该如何设计类比电路的方法呢？
在此感谢大家。
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1F：→ blacktea5: razavi新版 有奈米级的设计篇章 04/17 19:00
2F：→ blacktea5: 老实说 我认为实际上gap最大的还是一些layout 的concer 04/17 19:01
3F：→ blacktea5: n 04/17 19:01
4F：推 taipoo: 问问看林昀老师，可能会有更简单的作法 04/18 03:54
5F：推 deeplythink: 好奇"林昀"有几篇ISSCC?已是IEEE,ACM,中研院fellow? 04/18 11:04
6F：推 deeplythink: 为何中华民国的一些电X学大师，只是补习班大师? 04/18 11:15
7F：推 mmonkeyboyy: @_@~ 40nm差不少了 28以下差更多 你要多看制程说明书 04/18 11:22
8F：推 daroke: 实际跑模拟并且用alpha law来得到较准的参数 04/18 14:06
9F：推 daroke: 也只是略准 实际可能会用到subthreshold region 04/18 14:08
10F：推 sam612: 28以下不太会拿来做类比吧 04/18 21:57
11F：推 mmonkeyboyy: 目前28有在做 以下有在研究提高一些量产的东西 04/19 06:42
12F：→ samm3320: 好奇，林老师有下过40nm以下的制程吗？ 04/19 16:23
13F：→ darksoul8507: 谢谢楼上各位大大的讲解!! 04/19 20:49
14F：推 ioeve: finfet更难调 04/19 21:05