作者chesterhaha (chesterhaha)
看板Electronics
标题bootstrapped switch
时间Wed Apr 7 17:11:30 2021
版上各位好，想请问以下两个bootatrapped switch的差别，图如下
1. Razavi paper中看到的
https://i.imgur.com/jGl7Df9.jpg
2. 大部分paper中看到的
https://i.imgur.com/ZJjYoUv.jpg
2.中多了红色圈起来的3个mos
类似用一个Inverter做出1.中M8的clkb
但他同时还是有使用clkb的讯号
目前唯一能想到的是希望M8的clkb能有小的delay
做出一个non-overlapped的效果
不过模拟结果两个switch的表现几乎是一样的
所以想问多用了3个mos的效果是什麽呢？
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 42.72.234.178 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1617786692.A.1C5.html
1F：→ blacktea5: 为了解决第一张图m8在讯号高低有打不开的状况04/07 17:34
可以更进一步问M8会在什麽情况下打不开吗？
我的想法是M8是Pmos，所以P点随信号高低只会大於vdd，所以clkb=0的话应该都能打开，
这样对吗？谢谢
※ 编辑: chesterhaha (42.72.234.178 台湾), 04/07/2021 18:19:41
※ 编辑: chesterhaha (42.72.234.178 台湾), 04/07/2021 18:32:45
2F：→ blacktea5: 我说错了，应该是vgs8会超过两倍vdd04/07 23:24
3F：→ blacktea5: 如果你测sfdr都没差就是这个问题04/07 23:30
好的
所以应该比较像是保护M8的功能
感谢！！
※ 编辑: chesterhaha (42.72.234.180 台湾), 04/08/2021 01:51:23