作者jamtu (月光下的智慧)
看板Electronics
标题Re: [问题] 关於MOSFET
时间Thu Oct 22 10:16:44 2020
※ 引述《sillyquans (Jim77639)》之铭言：
: 标题: Re: [问题] 关於MOSFET
: 时间: Tue Oct 20 17:01:22 2020
: 抱歉，我不太会用缩图
: 1. 24V -> 695R -> VDS -> 500R
: 电路图 => https://imgur.com/a/VOQueDi
: Rds为5.01欧姆，温升计算为0.8度C
: -----------------------------------------
: 2. 24V -> VDS -> 500R
: 电路图 => https://imgur.com/a/cFQt9rZ
: Rds为700欧姆，温升计算为116度C
: -----------------------------------------
: 这两者差异只差在有没有接上695R
: 如果没有串联695R，会使VDS电压变大，近而Ploss变大、元件变烫
这两者主要的差别是你把power loss丢给MOS transistor还是电阻而已
如果你接了695R，那变烫的就是那个695R
你的功率损失并没有改变，因为你PIN跟POUT都一模一样
串那个电阻只是不想要MOS变烫而已
: 我使用Nexperia NX7002AK，规格书明确表示在Vgs在5V下，Rds(on)基本3.7R、最大5.2R
: 理论推理可得到Vgs为2V情况下，Rds(on)会大於3.7R
: 由例1模拟计算得到5R > 3.7R (合理)
: 但例2模拟计算却得到700R >>>>>> 3.7R (实质不合理)
Rds(on)的定义是给定特定Vgs的状况下，在Vds很小的时候，Vds/Ids的值
MOS操作在triode region
当Vds很大的时候，MOS操作在saturation region
你测得的值就不会是Rds(on)
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1F：→ samm3320: 所以我一直不懂一直纠结Ron的spec到底想干什麽，要解元 10/22 12:52
2F：→ samm3320: 件发热问题就串电阻去分散功率消耗。 10/22 12:52
3F：→ samm3320: power到source点电阻被loop锁在700 ohm，串多少电阻，mo 10/22 13:02
4F：→ samm3320: s就调整到剩下的值 10/22 13:02
5F：→ jamtu: exactly 10/22 13:11
6F：推 sillyquans: 了解，感谢大大们 10/23 09:32