作者dd98106 (dd98106)
看板Electronics
标题Re: [请益] 电子学的body effect跟短通道效应的疑问
时间Sun Aug 9 11:42:40 2020
（以NMOS为例）
Body effect：
可以想成S的电压较高（相较於SB都解Gnd)，会从通道吸走一些电子，因此G需要吸引更多的电子才能维持反转通道（Vt上升），所以Vg要更高
short channel effect
有点类似sat後造成的非线性效应，成因跟DIBL一样，重点是强调Vd太高，使D的空乏区扩散到G下面，并且也是高电位，所以会吸引电子，被当成通道用，所以Vt等同於下降
而对於短通道元件，同样是通道内缩0.1um，对L=1um的影响绝对是大於L=5um的元件
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1F：推 me8z7gnk: 谢谢D大 使D极的空乏区扩散到G极的下面 08/10 07:49
2F：→ me8z7gnk: 这句话让我想通了 08/10 07:49