作者me8z7gnk (SONG-SONG)
看板Electronics
标题[请益] 电子学的body effect跟短通道效应的疑问
时间Thu Jul 30 13:55:02 2020
Body effect: 在body施加比S极更低的电压 空乏区往通道延伸
空乏区变大 使阀值电压(Vt)变大
short channel effect:在D极施加高电压 D极的空乏区变大
通道变短 使阀值电压(Vt)变小
疑问是:两者空乏区都会变大 通道变短
一个使Vt变高 一个使Vt变低
问一下差别在哪 希望高手解惑谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 42.76.174.76 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1596088504.A.30E.html
1F：推 BaaaSwin: 一个还没导通 一个已经导通 07/30 13:58
2F：→ me8z7gnk: 谢谢B大 虽然还没搞懂你的意思 不过谢谢回答 07/31 00:29
3F：→ Archer55b6: short channel effect强调整个MOS size小而不是VDS电 07/31 09:41
4F：→ Archer55b6: 压吧？ 07/31 09:41
5F：→ samm3320: SCE一般是在讲DIBL吧，会跟VDS有关啊 07/31 09:48
6F：推 KaryuuIssen: 理论上通道空乏区大的话 Vt应该是要变大没错 07/31 10:44
7F：→ KaryuuIssen: 但SCE的通道空乏区变大其实主要是因为D极的空乏区 07/31 10:45
8F：→ KaryuuIssen: 扩张到通道所导致的 S,D两极在SCE的情况下反而能与 07/31 10:46
9F：→ KaryuuIssen: 通道共享更多部份的空乏区 让Gate方不需要加那麽多 07/31 10:46
10F：→ KaryuuIssen: 电压来让通道反转 07/31 10:47
11F：→ me8z7gnk: 谢谢K大 讲法合情合理 07/31 23:55
12F：推 Elecbone: 我想B大的意思是，channel length modulation发生在通道 08/22 17:40
13F：→ Elecbone: 已经形成後，接着被空乏挤压通道，电流上升。 唉！不过 08/22 17:40
14F：→ Elecbone: 我还是不知道原po问题的答案… 08/22 17:40