作者Philethan (Ethan)
看板Electronics
标题Re: [问题] MS接面欧姆接触的能带图
时间Fri Aug 9 10:43:05 2019
※ 引述《hybrid777 (懒懒路)》之铭言:
: 打扰就大家
: M-n M-p在欧姆接触
: 正确的能带图如下
: https://i.imgur.com/N9eRK6f.jpg
: https://i.imgur.com/58aPmHL.jpg
: 顺偏的我了解
: 我的疑惑是在加逆偏时
: 为什麽它的Ec Ev弯曲会反向
: 我的想法是用"接触後不加偏压"的图去平移
: https://i.imgur.com/vJ0YRel.jpg
: 想请问观念哪里错了@@
: 谢谢
因为能带图是把在那个位置(x座标)主要在传导的电子电洞能阶Ec, Ev画出来@@"
所以当你加偏压时,载子能量就变成了 E(x) = Ec,v - eV(x)
也就是说,能带的切线斜率就是电洞所受电力,或是电子所受之反向电力。
dE/dx = -e dV/dx = (+e) (-dV/dx) = -(-e) (-dV/dx)
简单来说,当你加上逆偏,电场必然跟着转向,所以能带弯曲的方向必然也反向。
https://i.imgur.com/CjnvXTy.jpg
-------- 看看就好 --------
有一种东西可以方便我们判断载子会往哪里流,这东西叫做 quasi Fermi level(QFL)
在施加偏压时,虽然在足够长时间後,载子浓度分布将不再随时间改变,所以能
达到稳定态(steady state),但是因为此元件有外接电源,并不是封闭系统,
也一直都会生热,所以元件并没有达到热平衡。因此,在这情形下的 Fermi level
是没有意义的。取而代之的是有点马後炮味道的 QFL。我们没办法
事先知道 QFL 的分布,通常这也是得用数值模拟才能算出来,但
如果知道了,那就可以比较轻易地用 QFL 表示电流方向。
MIT Course: Lecture 8 - Carrier Drift and Diffusion, Carrier Flow
https://reurl.cc/YL8g0
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※ 编辑: Philethan (123.192.0.245 台湾), 08/09/2019 11:06:07
1F:推 hybrid777: 谢谢大大 想问您SBD的观念 08/09 16:41