作者chishen1214 (chisheng)
看板Electronics
标题[问题] FET光感测器 gate大小 影响
时间Tue Jul 30 23:32:49 2019
https://i.imgur.com/nR4Un0Z.jpg
大家好，晚学刚从机械转为接触半导体制程
想请教一下 如果这个gate宽度变小会有什麽变化呢？ gate的长度变大会有什麽半导体
特性呢？
gate越窄，Vth会随之上升？
DIBL，Drain Induced Barrier Lowering 意思是指当gate长度变短，Vth会降低？
感谢大家
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※ 编辑: chishen1214 (140.117.59.155 台湾), 07/31/2019 11:25:48