各位前辈好 半导体中P和n接面会形成空乏区 在无偏压状况下 扩散电流大小=漂移电流大小 如果给一个外加偏压 会因为外加偏压产生漂移速度 故漂移电流密度可以用 J=qnME 计算 (M=迁移率、E=外加电场） 但是如果是光电半导体如太阳能电池 在空乏区吸收光子能量产生电子电洞对 而电子电洞对因为内建电场的关系而各自往n或P移动 因此产生漂移电流=光电流 所以如果这样说那漂移电流的大小就又和内建电场有关 而内建电场E=qNbW/ε. (Nb=轻掺杂浓度 ε=介电常数 W=空乏区） 这样出来的漂移电流又和掺杂浓度有关了 可是和掺杂浓度有关的不是扩散电流吗 这样太阳能电池的光电流又怎麽会是漂移电流 不知道我哪里理解错误 还请各位高手老师们指导 --

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