作者timtdsas (松农manu)
看板Electronics
标题[问题] Channel-stop 问题
时间Thu Nov 22 17:43:11 2018
先上个图
https://i.imgur.com/nLCotMr.jpg
小弟不懂的点是
为何ion implantation可以处理漏电流问题
我们知道说两个n+和FOX区
假如FOX上面有连接线（提供大电压）
电晶体会稍微被打开（FOX下面产生反转层）
用ion-implantation取代掉FOX（在氧化前）竟然就可以解决漏电流问题？
ion-implantation後的区域是低电阻（这样漏电流不是更多吗）
希望有大大可以解惑QQ
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我4manu铁粉 manu魂不灭
https://imgur.com/msMRnFu
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1F：推 timmerix: p+本身低电阻 但左右兜了n+就不是 建议从能带去想 11/22 18:22
2F：→ timtdsas: 感谢 11/29 11:40