作者fakenews (贾欣雯)
看板Electronics
标题[问题] 请问Flash的page/sector erase..
时间Tue Jun 20 23:09:18 2017
最近碰到一些问题不是很明白
元件在测试flash"Page erase"的时候因为Disturb导致fail
(先经过cycling读写一定次数)
不过老板说一般flash都是"Sector erase"
请问这两种要怎麽区分?
由於在做制程相关接触这方便比较少..
请问有推荐的书籍或是研究方向吗?
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1F：推 TWkobe: 要看哪一种flash 有些是block erase 06/20 23:16
2F：推 TWkobe: 其实具体来说 用sector或block来erase怎麽实作看厂商 06/20 23:23
3F：→ TWkobe: 不过你说的page erase似乎是page program? 小弟没看过 06/20 23:24
4F：→ TWkobe: 有错请指正 06/20 23:24
NOR flash,我的理解是sector是整面erase後针对单一word line program;
Page erase则是读写都只针对单一WL
http://imgur.com/a/MEBSI 类似此示意图,是不是只要program对於邻近的WL都
会有disturb?无可避免
※ 编辑: fakenews (49.159.248.67), 06/20/2017 23:48:28
5F：推 TWkobe: sector erase没有到整面erase这麽大,整面已经是chip erase 06/21 00:08