作者newwrite (jikk)
看板Electronics
标题[问题] 半导体的isolation
时间Tue Apr 18 15:24:27 2017
在半导体制程中都有隔离制程(isolation)
目的是阻绝两个元件因漏电流导通，或是隔绝电流，让电流不要流到不想要的地方
但不同的device似乎用的隔离方式不同：
1.运用在IC CMOS中，在NMOS与PMOS中间，挖个洞填入Oxide就好
ꀠ网路上查是他可以阻断形成CMOS中的寄生BJT，防止latchup
ꀠ但实际上的作用没写很清楚。
2.运用在Horozontal / Vertivcal PowerMOS中，挖个洞填入n-poly或p-poly
ꂠ
ꀠ或是挖个洞填入oxide，也有人先填Oxide在填入poly变MOS隔离
3.运用在CCD/CMOS中，同2的形成法
4.运用在Biopolar中，使用扩散井(well)隔离两元件，及使用埋藏层(n-buried)隔离漏电
想请问这四种Isolation分别是运用哪种原理，使其结构具有Insulator功效
还是有哪本书有写
谢谢!
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1F：→ kn930121: 印象中萧宏的半导体制程好像有写 但不是很确定 04/18 22:46
2F：→ k9966809: 有喔 我记得是第六 还第七 04/21 03:26