※ 引述《ap4318 (gorockboy)》之铭言： : 在设计类比电路最重要的源头大概就是bias电路了吧！? : 因为很多子电路都需要bias电压 : 自己在设计bias电路时多参考Martin书中的constant gm电路 : 但还是不太晓得怎麽样算是好的设计? 推文已经有人说明了：reference电压不随温度与电源扰动 For BSIM3V3 model, its accuracy of the temperature range is around -50°C to 150°C or -40°C to 125°C. 自己决定一下温度范围. 学术的大概不care温度, 有跑出东西就偷笑了, 反正只要万中取一 (just joking) FYI, temperature stable voltages typically have a temperature coefficient(TC) 10 ppm/°C (If you want a challenge, try to follow it.) 电源杂讯除了测PMRR, 就去买一颗要用的DCDC or PMIC然後量测其输出power supply杂讯, 将杂讯存起来放进电路模拟,看看结果. 用constant gm (I assume it's Beta Multiplier Reference), 要用外接电阻调电压时, 注意正回授loop gain要小於1.(bonding pad会贡献大电容), Vref做成震荡器也是很有趣 就是了~ : 是两条path的电流值要相近一点?! 应该是看Vov是否相近(假设你的unit MOS size相同), 多少还要看制程. 反正电流密度一样就是了.自己layout注意. : 还是要考虑每颗电晶体的Vov大小?! : 我的考虑是电流值不必太大，其他电路有需要电流源的话在放大W/L就好 要复制电流的话还是用Vref做一个Linear Voltage Regulator(DCDC)再将电流复制去别处 (这可外接R去调电流) Current Mirror离的远要记得放Caps, 并且注意Vov, 看是否要加 R or MOS去做Vov matching. : 如果电流想copy的准一点再取长一点的L : 其余偏压点的电压值就不知如何决定了 : 主要就是tune到都操作饱和区 : 然後Vov在100mV~200mV : 有前辈可以分享自己的经验吗？ : 感谢!!!!! : ----- : Sent from JPTT on my HTC One 801e. --

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