作者hcchat163 (果皮)
看板Electronics
标题[问题] SentaurusTCAD模拟问题(条件选择)
时间Thu Sep 17 18:33:57 2015
目前正利用SentaurusTCAD做FinFET元件的模拟，
发现单独include B2B model or Highfield saturation model时，
两者都可以work，
但同时include却一直无法收敛。
之前采取过多种方式(重切mesh，改变voltage的step等)都还是呈现发散状态。
所以想请问是不是有办法可以分段include不同model呢?
例如:-Vg~0V考虑B2B，0V~+Vg考虑Highfield saturation
类似if...else...的概念
谢谢:)
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