作者burt800602 (123456789)
看板Electronics
标题[问题] 关於OP的设计
时间Sun Jul 12 16:24:28 2015
各位前辈好，碰到了一个问题卡了很久
小弟目前在做offset canceling，使用CHOPPER的架构去做
在还没使用CHOPER时，有先在OP的input bias加上了10mV的DC offset，
看看是不是每个电晶体都操作在饱和。
问题来了，我OP加上10mV的offset後，会有许多电晶体没有在饱和区
我用的OP架构是Folded cascode，且有加上一个理想OP作为CMFB用，
之前运气好有用出一颗OP是可以加入30mV的offset，电晶体都还有全部在饱和区
，但是那个架构是Two-stage的架构，现在是因为换了制程所以要重新设计，
想请问一下在设计上我有哪些地方没注意到?
我输出端cascode部分的电晶体，Vov都为0.3V，所以我BIAS的设计就是
以Vov=0.3V来设计的，电流为260uA，增益为88db，VDD=5V，附载10pF
VCM在2.5V 用的是0.5um制成。
另外想请问一下，因为我有去扫他的ICMR，范围落在(0.2V~4V)都有88db的数值
，所以他的ICMR应该就是3.8V，这样讲应该对吧?
若ICMR=3.8V，不是代表他的输入的可变动量应该满大的，为什麽会加入10mV
就挂掉呢?
还有请问CMFB要怎麽设计才适当呢?
找了满多资料都没有讲设计方面的部分
目前只知道电流要大点好而已，
我有想过是不是因为CMFB设计得不好，
所以电流拉不回来，导致电晶体进入linear?
谢谢!!!
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1F：推 CaskY: 我猜你的10mv是在open loop下测的 07/12 17:22
2F：→ CaskY: 被放大88db後炸裂应该不太意外 07/12 17:23
3F：→ kerkerker: 同楼上猜测! 07/12 18:02
4F：→ kerkerker: 然後应该是0.5um而不是0.5nm 07/12 18:02
5F：推 DamnKobe: .5nm 哪家foundry这麽强! 07/12 18:06
※ 编辑: burt800602 (134.208.61.232), 07/12/2015 20:13:36
6F：→ burt800602: 谢提醒，一时笔误 07/13 00:00
7F：推 obov: 理论上gain够大 没在饱和区是没差喇 07/13 01:11
8F：→ obov: 不过执着饱和是个好习惯就是惹 07/13 01:11
9F：推 mlda888: ob"_"ov 07/13 03:59
10F：→ burt800602: 谢谢C大跟K大的回答，但看完回答之後觉得我没有把问题 07/13 21:56
※ 编辑: burt800602 (134.208.61.232), 07/13/2015 22:00:24
11F：→ burt800602: 问好，但因为好像无法使用图档..所以我尽量把问题描述 07/13 22:02
12F：→ burt800602: 清楚，我说的Offset是指加上的那个东西在CM，我的认知 07/13 22:07
13F：→ burt800602: 应该不会受增益的影响，所以应该跟open或close没关联 07/13 22:08
14F：→ burt800602: 若我观念有错请帮忙改正感谢!! 07/13 22:10