作者jamtu (月光下的智慧)
看板Electronics
标题Re: [问题]差动对输入MOS在weak inversion的好处?
时间Thu May 21 01:31:33 2015
※ 引述《woko (孤.独.一.痕)》之铭言：
: 最近拿到一些学长的OP设计范例,
: 发现在设计differential pair的输入电晶体时,
: 有几乎一半以上的例子都没有把这两颗MOS设计在饱和区,
: 上网查资料还有爬一下本版的相关讨论,
: 好像有提到这种做法是为了降低功率,
: 请问低功率是这种设计的唯一好处吗?
: (因为gain好像会降低不少)
weak inversion:
W/L很大，电流相对小
优点：gm/ID很大，频宽比较宽，gain比较大，VGS比较小
缺点：W/L较大导致寄生电容大，model较无涵盖，制程品质不好的model可能会fail
offset主要由VTH决定，相较於strong inversion较大
: 另外只有differential pair的输入电晶体能设计在非饱和区吗?
: 如果是第二级输入电晶体设计在非饱和区可行吗?
: 希望有相关经验的人能给一些提示,
: 感谢!!
triode region的gds比较大，gai会狂掉
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1F：推 woko: 感谢j大回覆!!再请教一下: 05/21 09:27
2F：→ woko: 是不是驱动电晶体可以设计在weak inversion改善频宽和增益, 05/21 09:28
3F：→ woko: 而负载电晶体为了维持ro必须维持在saturation region, 05/21 09:29
4F：→ woko: 以上两段的结论是正确的吗? 05/21 09:30
不正确，strong 跟weak inversion都属於非triode region
一般来讲你维持VDS > VDsat这个参数就好
通常是建议150mV，当然你VDS越大ro还是会越好
只是小於150mV会开始狂掉
5F：推 CaskY: Offset在weak inversion比较小吧？ 05/21 14:05
6F：推 obov: 不是因为weak inversion所以offset小 05/22 11:30
7F：→ obov: weak inversion是加大w的结果 05/22 11:31
http://imgur.com/ij5qvFm
我讲错了，weak inversion下面只剩後面那个term
前面的term影响较小
另外通常要offset小舅是加大size
8F：推 tony9211: 感谢J大 请问一下 频宽确定有变宽吗? 05/22 21:47
weak inversion = large gm/ID
同样电流换到比较多的gm，以gm的脚度来讲频宽当然是变宽
但是你去加大L会造成寄生效应增加 weak inversion不一定是万灵丹
※ 编辑: jamtu (61.64.172.166), 05/23/2015 03:29:50
※ 编辑: jamtu (61.64.172.166), 05/23/2015 03:34:50
9F：推 tony9211: 感谢J大 从这篇的结果来看 感觉频宽有变小 还是这样比是 05/23 12:44
10F：推 tony9211: 因为电流的不同 在同size底 电流大 频宽降 这样是对的 05/23 12:51
11F：推 tony9211: Operation of analog mos circuit in weak or moderate 05/23 12:53
12F：→ tony9211: 麻烦纠正了 我自己也是否正确 主要是从上篇的推文 05/23 12:54
13F：→ tony9211: 看到这篇 感谢回答了 05/23 12:55
14F：→ tony9211: 用手机 常掉字 上上句 补 ：不知是否正确 05/23 12:56