作者woko (孤.独.一.痕)
看板Electronics
标题[问题]差动对输入MOS在weak inversion的好处?
时间Wed May 20 14:49:17 2015
最近拿到一些学长的OP设计范例,
发现在设计differential pair的输入电晶体时,
有几乎一半以上的例子都没有把这两颗MOS设计在饱和区,
上网查资料还有爬一下本版的相关讨论,
好像有提到这种做法是为了降低功率,
请问低功率是这种设计的唯一好处吗?
(因为gain好像会降低不少)
另外只有differential pair的输入电晶体能设计在非饱和区吗?
如果是第二级输入电晶体设计在非饱和区可行吗?
希望有相关经验的人能给一些提示,
感谢!!
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1F：→ a78914124: Operation of Analog MOS Circuits in the Weak 05/20 16:43
2F：→ a78914124: or Moderate Inversion Region 05/20 16:43
3F：→ a78914124: 这篇paper好像有稍微解答你的问题 05/20 16:44