作者kb76628 (angela)
看板Electronics
标题[问题] spice模拟mos D&S对调
时间Sun Apr 5 02:42:25 2015
各位先进好,
最近模拟MOS元件特性遇到一个问题,
单独模拟一颗NMOS,gate给一个pulse,VDS=VDD,在transition下看电流,
在spice描述中一般会照D G S B的顺序命名节点，
因为mos 的drain & Source是对称的
，理论上D&S对调，在spice模拟应该只是电流方向不同，但大小一样。
但模拟结果
http://0rz.tw/b2GAE
显示条件二 transition current会略大，但稳态电流一样，
请问这模拟结果合理吗?如何解释呢?
condition:
1.MN1 vd vg vs gnd nch w=Wpg l=Lpg
2.MN2 vs vg vd gnd nch w=Wpg l=Lpg (D&S对调)
vd vd gnd 'VDD'
vs vs gnd 0
vg vg gnd PWL 0 0 0.2n 0 0.3n 'VDD'
感谢各位先进回答指教!
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※ 编辑: kb76628 (49.159.186.55), 04/05/2015 02:42:55
※ 编辑: kb76628 (49.159.186.55), 04/05/2015 02:44:16
1F：推 obov: 你的vg是不是少惹一个vg 04/05 03:17
2F：→ obov: 合理的解释就是 model不准 满意惹八 04/05 03:19
3F：→ kb76628: obov大 我贴错了 实际code有 感谢指教 04/05 10:02
※ 编辑: kb76628 (49.159.186.55), 04/05/2015 10:02:57
4F：推 darky897: 应该是因为有一边 doping比较浓吧 你查一下通常是哪一 04/05 13:33
5F：→ darky897: 边会比较浓呀～ 04/05 13:33
6F：推 CaskY: Body effect问题吧 04/05 15:50
7F：推 woko: 问厂内的人这颗MOS的model是不是对称制程, 04/07 10:48
8F：→ woko: 有个是对称的制程有的是不对称的制程, 04/07 10:49
9F：→ woko: 会影响S/D是否能对调 04/07 10:49
10F：→ woko: 不过看你的模拟结果差异并不大,也许是body电流造成的 04/07 10:51