作者flylikeswind (飘扬如风)
看板Electronics
标题[问题] 同步整流降压转换器问题
时间Fri Mar 13 14:50:27 2015
各位好
想请问大家一个问题
原本的降压(Buck)转换器
将整流二极体换成MOSFET
转为同步整流的降压转换器
主要的目的为减少二极体的导通损失
可是换成MOS後
MOS里面不是也有body diode吗?
那这样其实不是有改跟没改一样吗??
麻烦各位解惑了
谢谢
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1F：推 joy830: BODY DIODE是反向的 03/13 15:25
2F：→ dick801208: Mosfet 导通 是短路状态应不会流过二极体 03/13 15:39
3F：→ dick801208: 只有在盲时 二极体才会通 03/13 15:42
5F：→ flylikeswind: 我的意思是 当主开关截止 同步的开关导通时 03/13 15:43
6F：→ flylikeswind: 不会有电流也跟着流过body diode吗? 03/13 15:43
7F：→ flylikeswind: 还是一般都会把DS端反着接 跟此图不太一样? 03/13 15:44
8F：→ dick801208: 本体二极体不会导通 同步mosfet turn on 二极体跨零电 03/13 15:55
9F：→ dick801208: 位是逆偏 03/13 15:55
10F：→ p20162: 你想像电流是偷懒的家伙 只会走好走的路 03/13 15:56
11F：推 yudofu: MOS turn on的压降一般会远低於body diode，按照VI的curve 03/14 00:01
12F：→ yudofu: 即使有导通在V很小的情况下I也会非常的小，可以视为无电流 03/14 00:02
13F：→ yudofu: (方便计算) 一般的power mos其Rdson都会选择30~100 mohm 03/14 00:03
14F：推 guecet: 把他们想像成电阻就可以理解了，假设Diode是10 Ohm，Rds是 03/15 04:01
15F：→ guecet: 1 Ohm，在有Rds的情况下损耗会比没有Rds还要小 03/15 04:03
16F：推 cebelas: 一般来说会串上一个萧特基二极体 03/15 21:49
17F：→ cebelas: 避免他流过去 03/15 21:51
18F：→ cebelas: 因为实际上power mos跟一般 03/15 21:52
19F：→ cebelas: lateral 的cmos不一样 他的几何 03/15 21:53
20F：→ cebelas: 结构没有对称 s d端是固定的 03/15 21:53
21F：→ cebelas: 下臂开关导通时bode diode会导通 03/15 21:54
22F：→ cebelas: 我上面打错 是并联 03/15 21:55
23F：→ cebelas: bode diode特性不好 导通阻值大 03/15 21:55
24F：→ cebelas: 所以操作在高频或高电流时loss很大 03/15 21:57
25F：→ flylikeswind: WOW 谢谢各位的帮忙 03/16 08:52