作者roc181814 (比格迪克)
看板Electronics
标题[问题] .25制成iso_ring
时间Mon Mar 2 16:39:08 2015
大家好
我想请问一下
T25制程低压元件要用iso_ring围
我的电路里面 因为设计需求(升压电路)
所有的PMOS都接在S端
跑LVS
Extraction Results 有Warning:
Stamping conflict in SCONNECT - Mutiple source nets stamp one targe net.
这可以忽略它吗
还有就是
ERC_Results里面Error: nxwell_float is not connected to POWER
这应该可以忽略吧
补充一下
似乎是iso_ring有层NBL会接到所有Nwell
这样会有影响吗
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1F：推 zxc44560: 我记得我跑一个错都没有~ 03/02 22:28
2F：→ zxc44560: 不好意思看错. 03/02 22:30
※ 编辑: roc181814 (140.112.175.23), 03/03/2015 11:39:27
3F：→ zxc44560: 我刚看我发现我都跟你一样欸 03/04 16:07