作者chungfei ()
看板Electronics
标题[问题] [电子学] CMOS反向器简单观念
时间Wed Feb 11 15:18:09 2015
各位同学大家好 下图是我看不懂的地方
http://ppt.cc/yid9
http://ppt.cc/~AW4
为什麽对Qp与Qn所组成的反向器来说,当Vi>Vtn时,Qn在饱和,Qp在三极.
我先说说Qn好了,对NMOS来说,当Vgd<Vt时在饱和,如今,Vg=Vi ,Vd=Vo,
所以Vi-Vo<Vt ,Vi-Vt<Vo 接下来就不知道了....
不知道怎麽将Vi-Vt<Vo和Vi>Vtn搭上关系,因为我根本不知道Vo准位呀
谢谢各位
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1F：推 shunci: Vi<Vtn, Vo=Vdd,当你逐渐把Vi调大,Vo会从Vdd往下掉 02/12 01:40
2F：→ shunci: 所以NMOS一开始是在饱和区 02/12 01:40
3F：→ shunci: 另外一种看法,Vi逐渐调大到>Vtn後,NMOS导通能力较弱,而 02/12 01:42
4F：→ shunci: PMOS导通能力较强(因Vsg较大),所以因上下电流必须相同关系 02/12 01:43
5F：→ shunci: Vo会被控制在接近Vdd的位置使PMOS进入三极管区 02/12 01:44