1. 不是pro sim, 是 post-sim 2. pseudo-resistor model不准 不要相信模拟结果 如果是bias点炸掉 通常的原因都是因为gate漏电的不匹配 我在这篇论文有稍微讨论 可以参考 http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6820938 ※ 引述《ykuei (YKWang~~)》之铭言： : 下图是我的电路图 : http://miupix.cc/pm-61GQOE : 架构图里面有Pseudo Resistor的MOS尺寸，架构图上的数字是节点电压，我跑pre sim的时候外部电源给都正常，但我跑post sim的时候，因为Pseudo Resistor的缘故，导致我OP输入端与输出端的电压准位跑掉，op就无法正常工作 : 於是我就将pseudo用理想电阻取代的话，直流准位则是都没问题，但就不是我要的performance : 所以我想问我该如何去做改善? : 所用的元件都是 T18的3v device --

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