作者airzxc (MJ5566)
看板Electronics
标题[问题] 关於NAND FLASH ECC的一个疑问
时间Sat Jan 24 14:27:43 2015
小弟由於工作需要最近开始摸NAND Flash
看了一些资料後 知道ECC通常会放在每一
个page的spared area中 利用此次读page算
出来的ECC与存在spared area中的ECC比对
来判断错误的bit数与错的位置
我的问题是:
存在spared area里的ECC是否也有机会在读
取时产生bit flip? 这样的话会造成比对错
误 该如何处理这种状况?
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1F：推 cmh317: ecc保护的资料含raw data 跟spare data01/25 01:37
2F：推 hsujerry: 看其ECC演算法的容错能力，设raw有r个bit,spare有k个bit01/25 09:27
3F：推 hsujerry: ECC是对这r+k个bit(一视同仁的?)进行防护，若这r+k个bit01/25 09:29
4F：推 hsujerry: 错了f个bit。若f<容错上限则救的回来，若f>容错上限则GG01/25 09:33
5F：→ hsujerry: NAND flash cell应无soft error问题，若系统更上层有其01/25 09:36
6F：→ hsujerry: 它侦错机制发现资料有问题，可能就再读一次看看~，若认01/25 09:38
7F：→ hsujerry: 定该block有问题，可能会废弃它，转而使用其它预留block01/25 09:40
8F：→ hsujerry: 各机制只能把系统平均fail周期尽量延长，但终有其极限。01/25 09:45
9F：→ hsujerry: 还有请高人大大指点 > <01/25 09:46
10F：推 ptta: 用spread area我记得是Sandisk专利01/25 17:23
11F：推 ptta: ^^^^^^ spared 打错~01/25 17:27
hsujerry大 我的问题是ECC的值会存到spare area中 那麽spare area产生bits flip造成
ECC错掉怎麽办@@
※ 编辑: airzxc (42.74.176.70), 01/26/2015 12:34:29
12F：推 hsujerry: 只是一只小鲁蛇QQ，一起召唤高人大大吧 01/26 15:12