作者iiiikkk (东森媒体科技)
看板Electronics
标题[问题] Bias电路
时间Wed Dec 10 22:38:53 2014
一个bias 电路如下, 请问这种架构的电路有什麽问题?
我的解读是Vbias可以由VDD-Vgs,p决定, 又同时由Vds+Vgs,n决定，
还蛮奇怪的
--------------------------VDD
|
Diode connected PMOS
|
|-------------->Vbias
|
Diode connected NMOS
|
Current source
|
--------------------------VSS
--
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1F：→ samm3320: Vbias=VDD-(Vtp,p+Vov,p) Vov,p=(2I/Kp*Wp/Lp)^0.5 12/10 22:56
2F：→ samm3320: 修正 Vov,p=(2I/Kp)^0.5 Kp=mobility*Cox*Wp/Lp 12/10 22:59
3F：→ samm3320: Current source的Ro够大的话VDS可以近似为任意值 12/10 23:01
4F：→ samm3320: 所以Vds+Vgs,n+Vov,n=Vgs,p+Vov,p 没什麽问题 12/10 23:02
5F：→ iiiikkk: 你讲的我知道 我的意思是在实务上, 这会有什麽问题 12/10 23:46
6F：→ iiiikkk: 比如noise, 或是deviation之类的 12/10 23:46
7F：→ CaskY: 我觉得 假如你Vb=0.6V 但电路可能因为variation的关系 12/11 00:10
8F：→ CaskY: 变成要0.62Ｖ 之类的 12/11 00:11
9F：→ CaskY: 使得你的bias电路没有一起飘 12/11 00:11
10F：→ CaskY: 我也不确定对不对 看看就好 12/11 00:12
11F：→ samm3320: 我想最大的问题是Vbias会直接随着PMOS corner飘 12/11 23:57
12F：→ samm3320: PMOS Vth也会随温度飘所以Vbias的TC应该也不会太好 12/11 23:58
13F：→ samm3320: 另外个问题是Vbias会直接随VDD飘 12/11 23:59
14F：→ samm3320: 如果想要一个PVT都很稳的bias应该是不会选这种架构 12/11 23:59