作者JFAVA (JFAVA)
看板Electronics
标题[问题] DRC PP.EN.1 & RO.R.8
时间Thu Sep 4 12:30:17 2014
各位午安, 小弟做Layout上DRC有些问题想请教各位先进
使用的是T90。
首先这是整体Layout图:
http://ppt.cc/QdyM
PP.EN.1: 说明
http://ppt.cc/KK8L
high light图
http://ppt.cc/TKFF
因为我要画的Layout图会有大量的这种cell会并排在一起
所以我把in & out put都用poly拉出来外面这样会减少满多绕线麻烦
之前用T18画就没有这些问题出现Orz
PO.R.8: 说明
http://ppt.cc/lftv
high light图
http://ppt.cc/JvKP
这个就不知道从何解起, 它会high light在每颗P&N MOS的Gate里面
还请有经验的先进们指点一下, 十份感谢!
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※ 编辑: JFAVA (140.117.176.236), 09/04/2014 12:34:05
1F：→ michael6172: 你可以先K完 design rule 09/04 22:47
2F：→ JFAVA: 不好意思...我有去看过 不过实在看不太懂意思orz 09/05 00:45
3F：→ yafk: PP.EN.1是你poly要有PP包它的外围超过0.2 09/05 11:58
4F：→ yafk: PO.R.8，你这个只是subckt吧，whole chip再解就好 09/05 11:59