作者ptu (机动部队)
看板Electronics
标题[问题] 想请问不同金属靶材造成电压反转现象为何
时间Fri Jul 11 23:04:49 2014
小弟不才~~在半导体公司担任制程
负责PVD金属溅镀方面~~使用的靶材
有多种材质~如AL/Ti/W~~等等
一般来说~~这些PVD CHMBER在靶材厚度改变的时候
DC VOLTAGE在靶材全新(厚度最厚)的状况下
VOLTAGE都处於高电压输出~~随着靶材厚度变薄
的情形下~~VOLTAGE开始变低~~但奇怪的是
当厚度薄到一个程度的时候~~电压却上升了
而且连带影响沉积速率(越变越快)~~这个现象
一直想不懂~~是否能有大大帮忙解惑
目前想到的想法如下~~
在厚度由厚变薄时~~沉积速率下降
我想到的是~~因为靶材距离WAFER越拉越远~~
所以走的路径变长~~故沉积速率越来越慢
而厚度薄到一个程度之後~~发生电压反转上升
沉积速率变快~~这个现象我想到的是
因POWER输出会经过靶材~~靶材因厚度变薄
路径阻抗变低~~故相同POWER输出下~~输入端与输出端
耗损电阻变低~~故输出电压上升~~当输出电压上升时
电浆中的离子接收到的能量变大~就会产生沉积速率上升
但是以上想法~~都没办法解释为何在厚度由厚变薄
的情形下~~输出电压反而下降
不知道我这个想法~~是不是哪里有出问题~~
或是有更正确的解释~~~还麻烦板上强者大大
帮忙解惑~~~感谢
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1F：推 kuanglun:你要不要po到comm_and_RF板.那个板有cover半导体. 07/14 03:28
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※ ptu:转录至看板 Physics 07/14 06:04