作者h94jo3cl4 (安卓)
看板Electronics
标题[问题] OP设计问题PM和I
时间Thu Apr 17 14:33:42 2014
各位版上的前辈好，
我现在在设计一个OP
架构是选two-stage OP
这一个架构UGB固定下，PM是由第二级input的gm决定
可是我在设计时发现一个问题：
在OP的偏压决定後(该颗MOS的vds由Vcm决定，vgs则由第一级的输出电压决定)，
我发现很难设计gm，
当gm达到PM的要求时，
电流会远大於SR的要求，
请问在这个状况下要怎麽设计让gm提高电流不增加呢？
谢谢各位前辈们！
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 140.116.20.33
※ 文章网址: http://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1397716425.A.FBD.html
1F：→ da5n299o:subthreshold region? 04/17 16:07
d大您好
没有操作在subthreshold region，
都还在sat.
※ 编辑: h94jo3cl4 (140.116.20.33), 04/17/2014 16:17:16
2F：推 bear1991:d大的意思应该是电流固定的情况MOS工作在sub region的gm 04/17 18:18
3F：→ bear1991:会比sat. region大吧?你在做高类作业吼~~ 04/17 18:19
可是在sub region制程档的参数不是没有很准吗？
请问实际上会这麽设计吗？
4F：推 obov:老实说我觉得你用第二级gm去弄pm 很糟 04/17 23:35
5F：→ obov:我猜你的compensation根本没做好 04/17 23:36
因为我的设计流程是先透过SR决定电流，
用UGB和PM分别去估两级输入的gm
再用gm/id method扫发现要这个gm下I会很大...
所以才再想有没有办法在gm相同下把I变小
6F：推 jamtu:远大於SR的要求 不就过关了吗 04/18 01:01
7F：推 obov:老板会跟你说 电流不用钱喔? 04/18 03:33
8F：→ jamtu:反正学校咩 04/18 15:20
的确是过关了XD
不过我想把电流做小一点，毕竟SR不需要这麽大
谢谢各位前辈们！
※ 编辑: h94jo3cl4 (113.128.166.49), 04/18/2014 22:39:59
9F：推 obov:老师应该要说 耗电少的有加分忧 揪咪 04/18 22:38
其实我没有修这堂课，只是无聊拿别人的作业来做看看...
※ 编辑: h94jo3cl4 (113.128.166.49), 04/18/2014 22:41:58
10F：→ pgcuhm:用SR 去估input电流呢? 04/19 17:07
11F：推 jamtu:你就把W/L弄到很大gm/id就会大了 04/21 00:23
12F：→ jamtu:只是gm/id不会无限大 卡在20几就上不去了 04/21 00:24
这麽做就可以了！ 谢谢前辈！
只是我另外发现这麽做的话输出级的ro也会跟着增加，
所以gain也跟着变大了，
请问是不是没办法把gain降低来减少功耗呢？(因为电流都被SR卡死了)
※ 编辑: h94jo3cl4 (140.116.20.223), 04/21/2014 22:09:11
13F：推 jamtu:DC gain跟功耗 无任何关系 你可以再check一下 04/22 08:59
14F：→ jamtu:DC gain大小不影响高频的表现 04/22 09:00
所以DC gain很高就让他很高没关系罗(感觉有点浪费
想说是不是可以把DC gain降低一点点来增加别的效能
谢谢前辈！
※ 编辑: h94jo3cl4 (140.116.20.223), 04/22/2014 15:03:06