作者ok456 (ooxx)
看板Electronics
标题[问题] 从gate electrode看到的barrier height
时间Sat Jun 18 01:44:24 2011
小的目前在利用 F-N Tunneling 的斜率反推Barrier Height
由於inversion时 E-field不完全跨在Oxide上
可能会高估电场 进而造成误差
於是想改用accumulation区
但此时gate端看到的barrier height就不是 4.05ev(Si)-0.95ev(SiO2)=3.1ev了
我认为gate端看回去的barrier height是
Al(gate)端的Work function(4.1ev)减掉SiO2(0.95EV)=3.15ev
但是不太敢确定
想请问版上大大
这样的推法是正确的吗@@?
谢谢
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