作者ok456 (ooxx)
看板Electronics
标题[问题] Barrier Height
时间Wed Jun 8 16:59:11 2011
最近在学习实做MOS电容
结果量出来的Barrier Height偏高(5.47ev)
比SiO2理论值(3.1ev)高出不少
想请问有什麽是比较可能的原因呢?
感觉版上似乎比较少固态元件方面的讨论
是还有别的版吗@@?
或是版上大大有建议的相关网站or书吗?
谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.113.89.246
1F：推 mmonkeyboyy:doping用多少啊? 06/08 20:14
2F：推 jfsu:界面态电子有考虑进去吗? 06/08 23:07
3F：→ ok456:10 15次方左右 Nsub 06/08 23:09
4F：→ ok456:j大指的是? 我是用F-N Tunneling的式子反推barrier height 06/08 23:10
5F：推 mmonkeyboyy:你是用TCAD做模拟 还是真的去做一颗出来? 06/09 00:34
6F：→ mmonkeyboyy:J大说的可以考虑一下 如果是模拟的可能是有东西没开 06/09 00:35
7F：→ mmonkeyboyy:或是有的东西开了 但不切实际 @@ 06/09 00:35
8F：→ mmonkeyboyy:FN 如果是模拟的 好像要先设定一下 06/09 00:35
9F：推 windboy0620:你是量漏电? 有没可能做出来的厚度比实际值偏厚? 06/09 07:00
10F：→ windboy0620:打错 是比理论值偏厚 06/09 07:01
11F：→ ok456:是真的做一颗出来 06/09 10:57
※ 编辑: ok456 来自: 140.113.89.246 (06/09 11:02)
12F：→ ok456:我是用I-V Curve 去求斜率 用F-N Tunneling的公式反推 06/09 11:25
13F：推 mmonkeyboyy:固态 就是施敏的 RICHARD MULLER TAur yuan 06/09 12:14
14F：→ mmonkeyboyy:wolf的书你也可以看看 比较讲制程 06/09 12:14
15F：→ mmonkeyboyy:说实话实做就帮不上忙了@@"~没有看到东西很难讲~ 06/09 12:15
16F：→ mmonkeyboyy:但我以前在做的时候 真的是接面做不好 SURFACE不好 06/09 12:15
17F：→ mmonkeyboyy:出来就乱跳了= =.... 06/09 12:15
18F：→ mmonkeyboyy:材料到是还好 你有多试几个点吗 有时是机器问题 06/09 12:16
19F：→ ok456:w大 3.1ev＝4.05ev-3.1ev 应该只和Si SiO2电子亲和力有关吧? 06/09 21:07
20F：→ ok456:m大 我觉得电性应该就是如此耶..XD 大体上的IV CV还OK 06/09 21:08
21F：→ ok456:只是有些parameter 像barrier height偏高 06/09 21:09
22F：→ ok456:我就不知道怎麽解释了 如果偏低 还可以说是SiO2品质不好 06/09 21:09
23F：→ ok456:或是有Tuneeling的机制发生 06/09 21:10
24F：推 windboy0620:不是吧 你推barrier时不用代电场进去当参数吗? 06/09 22:46
25F：→ windboy0620:Oxide厚度偏厚 -> 电场高估 -> barrier高估 06/09 22:47
26F：推 nevinyrrals:FN要在大电场才会发生哦 06/10 09:26
27F：→ ok456:不好意思回晚了 06/12 14:07
28F：→ ok456:w大 您指的是Oxide的厚度测量有误吗? 06/12 14:08
29F：→ ok456:n大 3~30 MV/cm等级应该够吧? 06/12 14:08