作者jamtu (月光下的智慧)
看板Electronics
标题Re: [问题] 类比电路的bias计算
时间Wed Jun 8 00:29:49 2011
现在的MOS model非常复杂
电子学课本所学的公式早就已经不适用了
但是趋势不变，VGS增加与W/L增加仍然会导致电流增加
从netlist里面得到的小信号参数观念仍然适用
每跑一次DC去抓里面的gm,gds,以及电容值仍然是很有用的
有关於OP电路里面的每一个偏压点要怎麽给
请自己参考书本里面有关偏压电路的部分
Martin里面关於偏压电路的描述非常详尽
偏压电路可以给出稳定的电流与稳定的电压，利用diode-connected的特性
W/L不需要太多的微调
在实际的应用中，W/L调再准最後也会跑掉 (虽然你得先调准)
如果是双端输出，high-impedance的点还是要接CMFB
另外在低电压低电流(uA level)的应用中
常常VGS < VTH，此时MOS进入weak inversion
利用Vov的计算去设计电路是有问题的
所谓的lambda也会随着L而改变，不再像电子学一样是个定值
L给越大，channel length的改变就越不明显，ro也会越大
所以不要尝试从大信号的角度去推算小信号参数
而是你给了一个大概的电流，再去取出小信号参数，看符不符合需要
一个二级的OP放大器
第一级不会给太多的电流，此时gmro的乘积会比较大，得到比较高的DC gain
代价可能是电路内部的一些pole往前移，限制了高频宽的应用
第二级由於要推电容，必须要有很高的gm，要有很大的电流
OP的设计学问实在是太大了，我也只对我比较常用的稍微有研究而已
给你参考
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 123.193.26.244
1F：推 mmonkeyboyy:推 ~写得好 :D 06/08 00:37
2F：推 jsp0520:原PO是博士班的学生?? 06/08 12:45
3F：→ jamtu:我只是小硕一... 06/08 14:06
4F：推 victor21835:推 超强! 06/08 18:38
5F：→ jsp0520:只是看到你在PHD板的推文,想说问一下 06/09 14:30
6F：→ sensitivity9:非常感谢! 06/17 17:31