※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言： : 最後，回答你的问题。 : : Q1:当顺向偏压时，流出二极体的是扩散电流还是飘移电流？ : : 高中是说　因为是受外加"电场"的影响，符合飘移电流定义，是飘移电流 : : 大学是说　流的是扩散电流　而且 Id = Is*e^(Vd/Vt) 这是扩散电流公式 : : 　　　　　　　　　　　　　而且课本是用浓度去推倒..... : A1:如果偏压够大，那就是扩散电流。 严格说起来，流出二极体的应该是飘移电流。 扩散电流只有在空乏区边缘最大， 这是因为少数载子在空乏区边缘浓度最高，梯度也最大， 越远离空乏区少数载子就会因recombination的关系变少， 扩散电流变小。 飘移电流则相反，是在远离空乏区的部份最大， 越接近空乏区的话， 则因为电流部份被拿来当成提供recombination用的载子， 飘移电流就会慢慢变小。 假设上是认为扩散电流与飘移电流的和为一定值。 原po说的扩散电流的公式他是算在空乏区边缘的电性阿， 这时可以假设飘移电流=0，比较容易作计算才会选在这点， 只是这样而已。 其实重点就是二极体里扩散跟飘移电流都是位置的函数， 所以比较不容易掌握， 只是知道这麽多， 真的工作时不见得用的到就是了，哈哈! : : Q2:当无外加偏压时，飘移电流是在空乏区流?(只有空乏区有电场) : A2:你说"无外加偏压"是指热平衡下吗？如果是，由上述公式 : I = Io(e^(-qV/KT) - 1)，V = 0 : I = Io(e^0 -1) = Io-Io = Idiff + Idrift = 0 : 净电流为零！　　 : 以上有解答你的疑惑吗？ : 如果没有，请提问或是自行翻书。 : ps.题外话，这类的问题在40年前，发明电晶体三人之一的萧克利也遇到过，他提出 : 『少数载子注入』(minority carrier injection)概念。 --

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