作者windyddd (ddd)
看板Electronics
标题Re: [问题] diffusion && depletion capacitance
时间Mon Apr 4 17:38:12 2011
※ 引述《windyddd (ddd)》之铭言：
: ※ 引述《ok456 (ooxx)》之铭言：
: : 最近刚好接触到这个部份
: : 看之前的期中考题
: : 说""diffusion capacitance 大於 depletion capacitance in forward bias"
: : 我大概了解两种寄生电容的计算方式
: : 不过不知道如何从式子看出结果
: : 还是说 这是实际量测的结果?
: : 麻烦各位解惑了
: : 谢谢大家
: 看偏压 (RB/FB)
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/pncap.htm#diffusion
We will find that the junction capacitance dominates for reverse-biased
diodes, while the diffusion capacitance dominates in strongly forward-biased
diodes. The total capacitance is the sum of both.
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 69.244.37.104
1F：推 ok456:谢谢您 不过我的问题是 在forward bias下 04/04 18:22
2F：→ ok456:如何看出diffusion capacitance dominate? 谢谢 04/04 18:22
3F：推 jfsu:请参考 S.Laux and K.Hess, "Revisiting the Analytic Theory 04/06 14:11
4F：推 jfsu: of P-N Junction Impedance: Improvements Guided by Comput 04/06 14:12
5F：→ jfsu:er simulation Leading to a new Equivalent circuit," IEEE 04/06 14:13
6F：→ jfsu: Trans. Elec. Dev., 46(2), p.396 (Feb. 1999) 04/06 14:13
7F：推 jfsu:并建议参考固态物理有关PN junction一节。电子学写得太垄统了 04/06 14:16
8F：推 ok456:感谢楼上 04/10 10:57