作者windyddd (ddd)
看板Electronics
标题Re: [问题] diffusion && depletion capacitance
时间Mon Apr 4 14:47:41 2011
※ 引述《ok456 (ooxx)》之铭言：
: 最近刚好接触到这个部份
: 看之前的期中考题
: 说""diffusion capacitance 大於 depletion capacitance in forward bias"
: 我大概了解两种寄生电容的计算方式
: 不过不知道如何从式子看出结果
: 还是说 这是实际量测的结果?
: 麻烦各位解惑了
: 谢谢大家
看偏压 (RB/FB)
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 69.244.37.104
1F：推 ok456:喔对 可是diffusion capacitance的式子似乎是 (T/Vt)*I 04/04 15:38
2F：→ ok456:T是mean transit time 04/04 15:39
3F：→ ok456:junction capacitance是 Cj0/(1+VR/V0)m次方 在reverse bias 04/04 15:41
4F：→ ok456:V0是built in potential m是一个constant 04/04 15:42
5F：→ ok456:forward bias时 是估大约2Cj0 04/04 15:42
6F：→ ok456:以上是我从smith 3.7整理出来的 04/04 15:43
7F：→ ok456:在forward bias是 似乎无法定量的从这些式子看出 04/04 15:43
8F：→ ok456:diffusion capacitance较大?? 还是我有地方弄错了? 谢谢您 04/04 15:44
9F：→ windyddd:基本观念可能要在review一下下 :D 04/04 17:37