作者perolly (^^)
看板Electronics
标题[问题] 关於电容的问题
时间Tue Jan 11 11:36:26 2011
有个关於电容的问题
在一般的S/H电路中
M1 +-
---/ ---||------gnd
这样当M1关掉时
在channel的charge会跑到电容的+端造成sample的电压改变
就是所谓的charge injection
而在比较先进的技术中 会有所谓的bottom smapling的技术就是让
M1 +-
---/ ---||------
原本的gnd端变成floating
这样很多文献以及书籍都说因为右边点floating了
所以在电容上的电压不会变 所以charge injection的效应可以减低
我ㄧ开始的想法是 floating可以视为电阻无限大
电荷就不会往这路跑过来
但後来想想
电容的中间不是本来就是绝缘体吗?
而且电容两端电压的定义是V=Q/C
应该是因为两端有电荷累积 才造成电压变化
所以文献解释的前提应该是电荷不会跑到+端 电压不会改变
但我想的疑问是为啥电容-端段路 电荷不会跑到正端呢??
感觉-端的电荷不会变这是ok可以理解的
但有可能M1的charge跑到+端不是吗??
感谢大家~
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◆ From: 211.75.121.126
1F：推 jsp0520:M1的charge在电容floating时无法跑道的正端,因为另一端为 01/11 14:00
2F：→ jsp0520:浮接,无法从外界吸引到对应的负电荷 01/11 14:01
3F：→ jsp0520:这样的方法仍会受到bottom switch关闭时的charge所影响 01/11 14:03
4F：→ jsp0520:不过此时的charge为 input-independent, 仍会造成 01/11 14:04
5F：→ jsp0520:DC offset但不会造成线性度的衰减 01/11 14:05
6F：→ perolly:感谢楼上^^ 01/11 17:06