※ 引述《wrt (一片小蛋糕)》之铭言： : 1. body effect : 为何在body端加一个负电压 会使Vt上升 : 如果在body加负电压 电子应该会被排斥到oxide接触面 : 使得Vt需要吸引得电子变少才对啊 : (因为body的负电已经排上去很多电子了) : 所以Vt应该要下降才是啊 : 使得Vt需要吸引得电子变少才对啊 : (因为body的负电已经排上去很多电子了) : (因为body的负电已经排上去很多电子了) : 所以Vt应该要下降才是啊 : 为何是上升呢? (以 nMOS 讨论) 第一个重要观念是 inversion charge (electron) 是从 S/D 提供的 然後 Vt 增加减少要从半导体元件物理的公式来看 (用物理画面想也可以，但有时会漏掉一些东西) Vt (threshold voltage) (定义为 strong inversion 时的 Vg 值) = Vfb (flatband voltage) + psi_s (surface potential) + depletion charge/Cox 当 Vb < 0, Vs = 0, 使 Vsb > 0 时，body effect 出现，使 Vt 增加 是由於 depletion charge 的增加，Vfb 跟 work function 有关，不受影响， psi_s = 2*phi_b 和 doping 浓度有关，也不受影响 用 band diagram 看的话，就是 Vb 的负偏压把 bulk 的 band diagram 给往上抬 所以原本 depletion charge 和 psi_s 有关 (在根号里) 会变成 psi_s + |Vb| 所以第三项的贡献变大，Vt 上升 可以想像 Vb < 0 时，Vg 必须更正 (为产生足够多的 depletion charge) 才能使 Si band-bending 到 2*phi_b : 2.short channel effect 和 channel length modulation : 这两个是在说一样的东西吗?? : 前者是在说VD电压上升 使Vt变小 : 後者在说在饱和时 VD电压上升 电流还是会些微变大 : 这两个我怎麽看都是在说一样的东西啊 : 只是一个是非饱和一个是饱和状态下 : 电流变大不就是等於Vt下降吗? : 观念有点不清楚 请高人解答 感谢 两个是不同的东西 short channel effect 造成 Vt rolloff (下降) 不一定要 Vd 电压上升，只是 Vd 增大问题会更严重 解释的方法是 charge sharing (倒梯形) S/D 会吃掉一部分 gate controlled 的 depletion charge (三角形部分) 当 L 越小，两旁的三角形占整体梯形的比重越高， 所以 Vt 掉的更多 channel length modulation (CLM) 在 long-channel 也可以看到 只要 MOS 操作在 saturation 区，有 pinchoff 的现象， 此时 Leff = L - delta_L，使得 Id 会受 Vd 影响 (Vd 越大，pinchoff 越严重) 电流变大有可能是很多原因，电子学的公式是简化版的，从元件物里的角度会看更细 不只是 Vt (mobility 也可能会变，还有其他影响的项，如 CLM 的 lambda 参数等) --

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