作者kk123 (阿熊)
看板Electronics
标题Re: [问题] hspice量MOSFET的电压电流特性
时间Fri Oct 22 14:48:03 2010
※ 引述《opq77114 (欧匹哭)》之铭言：
: 一颗NMOS
: Mn d g gnd! gnd! W=1u L=1u
Mn d g gnd! gnd! nch W=1u L=1u
假设 NMOS 的 model name 叫 nch
: 在drain端施以不同的电压
: Vdn d gnd!
Vdn d gnd! dc=0
Vgn g gnd! dc=3 $ for example
g 端记得给偏压。这边以偏压 3V DC 举例。
: .Dc Vdn 0 1.8 0.05
（这句对）
再加上以下这两句
.option post probe
.probe I(Mn) $ Measure Id of Mn
打完收工 ╭(′▽`)╯
: 想要得到不同的drain端电压对应的Id电流该怎麽做
: 查了一下manual 好像可以用.measure来量测
: 但是他的范例都是针对tran 所以不晓得怎麽针对DC sweep量测
: 麻烦各位前辈指导一下 谢谢
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