作者stevegood (stevegood)
看板Electronics
标题[问题] 两个电子学的题目
时间Thu Oct 7 20:09:44 2010
1."Early effect" and "channel length modulation" are commonly observed
in modern transistor devices. which of following properties are " not" caused
by the effect?
(A)the base width of the BJT is reduced (B)The turn-on voltage of MOSFET is
reduced (C)The channel of the MOSFET is pinch-off (D) The emmiter current
of the BJT is incresed.
解答给D 但是我觉得是B
2.Temperture is extremely important to determine the operational
characteristics, which of the following is NOT true if the environmental
temperture is raised?
(A)It's harder to induce channel in the MODFET (B)The saturation current
of the BJT is reduced (C)The characteristics of MOSFETs are shifted more than
BJTs (D) The temperture compensation can be implemented by circuit designs.
解答给B 但我以为是A
想请问板上大大是解答错了还是我想错了 第二题的c虽然
我知道但是不太知道该用什麽方法解释 感谢帮忙解答的人!
补问一个
我看书上说一个电路的Phase Margin如果太小 代入Transfer Function
可以画出Frequency response 且输出(time domain)会有抖动的现象
想请问 time domain会抖动这要怎麽看? 我只想到因为 PM越小 pole越接近右半面
响应越不稳，但是想不到一个能表达成方程式或是别的想法?
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◆ From: 114.33.235.110
※ 编辑: stevegood 来自: 114.33.234.33 (10/07 21:04)
1F：推 vapaa:1的B应该没错吧 Vsb<0的时候 Vth会变小 MOS比较容易turn on 10/07 22:29
2F：→ vapaa:D的话应该也跟early effect有关 10/07 22:31
3F：→ vapaa:第2题的话就不太记得了 要翻翻固电的书 10/07 22:37
4F：→ vapaa:至於PM的话 大约是PM越大 damping ratio越大 10/07 22:40
5F：→ vapaa:step response的rise time也会越长 但比较不会抖动 10/07 22:43
6F：→ vapaa:但是想要快要response快一点的话 damping ratio就要小 10/07 22:44
7F：→ vapaa:也就是抖动比较大 但是反应比慢慢充上去还快速 10/07 22:46
8F：→ vapaa:PM小於0的话 电路就会unstable一直震荡 负回授变正回授 10/07 22:48
9F：→ vapaa:但是PM仅限於没有right-half plane zero的时候适用 10/07 22:49
10F：→ vapaa:想了解的话可以翻控制的书 会更清楚@@ 10/07 22:50
11F：→ vapaa:1的B是body effect@@ 没注意看到题目XD 10/08 09:55