作者ttkenny (321)
看板Electronics
标题[问题] 量测具有微分负阻电晶体的电性
时间Sat Sep 4 00:59:31 2010
在CIC下了稳懋半导体的pHEMT
想要量pHEMT的Id-Vd图
稳懋那边给的data sheet表示这颗电晶体具有微分负阻 (饱和区电流递减，斜率为负)
但我在量测电性时Vd一扫到饱和区有负阻的地方，整个电流就乱跳，会抖会飘
就是量不出稳懋那边SPEC给的Id-Vd图(平滑的微分负阻，电流缓缓递减)
我的电性量测不是用probe station,是直接用source meter接线给到元件
source meter直接连电脑抓data(labview)
元件=>打金线=>PCB版电极=>SMA转接头=>有shielding的线=>source meter
请教一些人，说在负阻区容易震荡，提供一些改善方法
1.在V D S三端都各串连电阻
2.元件接出来的转接点都要加压
都试过但效果不彰
请问有人有用source meter量测过类似有负阻FET Id-Vd的经验吗?
请教各位量测方法，谢谢!
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