作者shela (雪特拉)
看板Electronics
标题Re: [问题] 数位电路闩锁(latch up)的问题
时间Mon Aug 16 11:21:36 2010
Foundry 给的 DRC 只会帮你检查 I/O Cell
很有可能只检查
1. 大N大P有没有接围 Ring / 接电位
2. I/O cell 到 Internal Circuit 的距离
因为你没有提到该发生大电流的数位电路是发生 I/O 区域还是 Core 区域
解决方法也不太一样
不过第一步要做的一定就是jfsu大大说的用EMMI/IR-OBIRCH找出大电流的位置
再来就是要找出 Trigger source (附近肯定有其他大电流经过)
发生在 Core (例如 N/PMOS in SRAM) 围不了一圈ring
就想办法在N/PMOS 之间补 well contact
发生在 I/O 又分两种情况
(1) I/O 是自己刻的: 改法如上,当作花钱买教训
(2) I/O 是套用 Foundry 提供的 Cell:
EMMI/IR-OBIRCH 照片丢过去开始准备吵架 (也可以是砍价钱的手段)
※ 引述《gyamwoo (Gyeon-woo)》之铭言:
: 最近在测量电路,结果发现数位电路的电流超大,6mA以上
: 至少是比其他区块都还大。当然数位电路讯号出不来才去量
: 我自己推测是latch up,若有正常动作的话电流不会超过1mA
: 上网查了一下似乎是这样,latch up会产生大电流。
: layout的时候也没有遇到latch up的drc error,是因为我不
: 知道是用什麽方式去画layout才没遇到latch up的呢…
: 如果真的是latch up,这样电路还有救吗?
: 拜托强者为小弟解惑~thx~
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◆ From: 76.19.21.168