※ [本文转录自 comm_and_RF 看板 #1CJmqsSf ] 作者: LeJ23 (James) 看板: comm_and_RF 标题: [问题] 65nm 和 130 nm 实现LNA之差异 时间: Wed Jul 28 00:45:39 2010 我是刚做RF领域的新手 有一些问题一直猜不透 就是使用65nm与130nm来实现2.4GHz LNA的差别 就大家的认知65nm的Ft很快 用130nm来做60GHz电路可能电压增益很低 但是 用65nm来做可能可以做到20dB 但是如果用来实现2.4GHz而言 Gm因为short channel的 关系和Cox差不多(12fF左右)这两种制程可能差距不大(相同的电流之下) 而架构上如果是 使用传统的cascode加上电感负载(主极点都大於2.4GHz) 那麽这两种制程的电压增益 会有差吗?? 再来针对杂讯部份 电晶体的杂讯电流平方是4KTrGm 而这个r好像会随着制程微缩而变大 (paper有提到)有就是说如果这2个制程Gm差不多但是r却是65nm比较大 那麽不就 input-refer noise voltage 65nm比较大了吗?? 再者传统CS LNA的NF会因为Cgs而上昇 (T. Lee书有写) 但是对於这两种制程而言 他们的Ft都远大2.4G(寄生电容较小) Cgs可能 都是<50 fF 也就是说由於Cgs所造成的NF上升 比例都已经很小了 那麽这2种制程NF会 有差吗?? 根据上述2种问题 就对实现2.4GHz LNA而言 是不是65nm比起130nm没有优势 难道只有实 现毫米波电路才看的到优势 其实这个问题也可以引申到其他射频电路或者类比电路上 对於一颗收发机到底65nm的优势 在哪?? 谢谢各位大大的指教 --

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