作者jfsu (水精灵)
看板Electronics
标题Re: [问题] 有关TSMC 0.18um制程的问题
时间Tue Jun 29 00:27:15 2010
※ 引述《Mauder (知福..惜福..)》之铭言:
: 请问各位大大
: 小弟在寻找制程里有关device matching的参数
: 想要知道TSMC 0.18um制程里两个需要matching的device相距在不同的距离下
: 会有多少mismatch
: 包含mosfet的Vt mismatch或者是电阻的阻值mismatch等等
: 这应该会是一个统计参数 配合距离大小可以大致预测出device之间在不同
: 距离下的mismatch大小
: 我找了所有文件但是没有找到这方面的参数资料
: 虽然.18制程有mismatch model 但其中似乎没有探讨到距离方面造成的mismatch
: 请问有没有大大知道这样的制程资料参数会放在哪个文件里呢?
: 抑或是可以麻烦大大提供资料?
: 感激不尽!
它应该会被描述在MOS 的model里面,看是WPE(well proximity effect) 还是LOD
(length of diffusion),分别是sa, sb与 sc..,,
不过这也要DRC(design rule check)的command file也有提供相关的功能。
这些数值只是个参考值,用来跑模拟。等到layout划好,抽出这些参数,再带回你的
模拟里。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.64.211.248
1F:推 BuBuChen:.18的model应该还没有引进WPE, LOD. 06/29 18:59
2F:推 micool:记得65/45node之後才引进 06/30 08:15
3F:推 obov:sa,sb应该是.13才有 06/30 16:34