作者freemystyle (爱上热舞社~)
看板Electronics
标题[问题] Bypass电容的选择
时间Wed Jun 2 21:21:17 2010
要开始测CHIP了，有些问题想要问大家
在网路上查到的资料要加Bypass电容在电源的两端
现在的电源有两个，一个1.2V,一个3.3V
查到的资料是加10uF在靠近power supply端，加0.1uF在CHIP端
但是现在有点问题的是容值的问题
学姊是要我们用47uF来取代10uF的电容，但是我不知道怎麽样才是对的选择
我知道容值的大小跟要滤的杂讯频率有关系
但是到底采用多少的容值对我的电路才能提供最稳定的电压呢??
另外还看到有要串联一个电阻在power supply 与CHIP之间
请问这个电阻的作用是用来降低ESR电阻的效应还是来限制power supply
进来的瞬间电流呢?? 要采用多大的电阻值呢??
我现在是用1K,但网路上查到的似乎是要使用小电阻才是比较正确的选择
先谢谢大家的回答
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.114.28.55
1F：→ wuandy10:要看哪种的power~~一般都用22~47uf 06/02 23:18
2F：→ wuandy10:没意外应该叫隔离电阻~~一般10k 06/02 23:19
3F：推 carrack:1mA x 1k ohms = 1V, are you sure using Res. is right? 06/03 03:54
4F：→ carrack:IR drop kills you. maybe Ferrite Bead is what you want 06/03 03:56