作者jfsu (水精灵)
看板Electronics
标题Re: [问题] HSPICE 如何改善反应时间
时间Tue Jun 1 12:17:26 2010
: x1 out in2 node 0 NTRAN w=wn l=ln
: x2 out in2 vdd vdd PTRAN w=2wp l=lp
: x3 node in1 0 0 NTRAN w=wn l=ln
: x4 out in1 vdd vdd PTRAN w=2wp l=lp
: VIN1 in1 0 pulse 0.1 2 2n 0 0 5n 10n
: VIN2 in2 0 pulse 2 0.1 2n 0 0 1n 2n
: VDD vdd 0 1.8v
在回答你的问题前，让我们讨论设计NAND GATE会遇到的麻烦
1.由於NMOS是串联的关系，所以比起tPLH(Low -> High propagation delay)
tPHL会更慢。
2.NMOS的本体效应(body effect)会减少pull-down的Ids驱动力。
3.实际可行的扇入(Fan-in)小於 4。
4.自我电容(self-capacitance, Cs= Cg+Cj)会恶化tPHL。
5.in1与in2并非同时输入(时间差);tPHL会增加，如果讯号是从in2 -> in1
解决的办法:
1.使用基底偏压(substrate bias, VBB)来减少body effect与自我电容。
2.使用N-Well制程
3.在电路布局(layout)时，要注意自我电容的问题。
4.减少输入端in1 与in2的时间差
以你的Two input NAND gate为例，你将in1固定，并在期周期内变化in2
1.MOS的W/L需调整:楼下有乡民建议 MMOS的宽度要大於PMOS，不然你的tPHL与tPLH
会不一样，这点，你可以自己跑一下不同的W/L比模拟就知道了。
2.你可以试着将in2固定，来变化in1，你会发现一些有趣的现象。
3.这是作业吗? XD
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1F：推 pdaer:每次看j大的文章都有一些意外收获 06/01 22:06
2F：→ xxxorc:这位大大真是太感谢你的讲解了 让我真正了解到它的意义 06/01 22:49
3F：→ xxxorc:对於这是作业的问题 实在很不好意思 老师上课只有轻松带 06/01 22:49
4F：→ xxxorc:过 ，大部分时间都在讲制程 ，真是不好意思耶 06/01 22:50
5F：→ jfsu:加油~~ 06/01 23:27
6F：推 ryanchen:推j大,巨细靡遗的分析也让我发现没注意的地方! 06/02 17:23
7F：推 wuandy10:不错的分析 考虑到制程~~其实满重要的!! 06/03 08:52