作者xxxorc (hghg)
看板Electronics
标题[问题] HSPICE 如何改善反应时间
时间Mon May 31 21:55:46 2010
这是我的程式 想请问大家有什麽地方可以修改让反应时间更快
******** NAND ***********
********PMOSFET W:0.80 L:0.18***********
********NMOSFET W:0.40 L:0.18***********
.lib 'C:\synopsys\sample\mm018.l' TT
********** Parameters ************
.global Vdd Vss 0
.param vdd=1.8
.param vss=0
.param lambda=0.09u
.param def_w='4.45*lambda'
.param def_l='2*lambda'
.param loadce=100f
.param ratio=2
********** Devices and sub-circuits ************
.subckt NTRAN d g s b wn='def_w' ln='def_l'
m1 d g s b nch w='wn' l='ln'
.ends
.subckt PTRAN d g s b wp='def_w' lp='def_l'
m2 d g s b pch w='wp' l='lp'
.ends
**************************************************
x1 out in2 node 0 NTRAN w=wn l=ln
x2 out in2 vdd vdd PTRAN w=2wp l=lp
x3 node in1 0 0 NTRAN w=wn l=ln
x4 out in1 vdd vdd PTRAN w=2wp l=lp
VIN1 in1 0 pulse 0.1 2 2n 0 0 5n 10n
VIN2 in2 0 pulse 2 0.1 2n 0 0 1n 2n
VDD vdd 0 1.8v
.ic (vin)=0
.options post=2 nomod
.op
.tran 0.1n 20ns
.print tran v(in) v(out)
.end
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.143.157.206
1F：→ rxjtg:你所谓的反应时间是指delay time还是 rise fall time.. 06/01 08:49
2F：推 ryanchen:nand gate 的 NMOS 组态是串联的,想要有比较对称的delay 06/01 10:16
3F：→ ryanchen:你要加大 NMOS 的 W 为2wn! 还有mos已经是最基本的元件了 06/01 10:18
4F：→ ryanchen:包成子电路是有什麽特殊涵义吗? 06/01 10:19
5F：推 mos888tw:这个是范例档吧? 建议你自己从头写到尾 06/01 11:33
6F：→ xxxorc:真的很感谢大家的回答，让我收获不少 我也顺利改善了 06/01 22:48
7F：→ wuandy10:嗯加大w就行 ry大正解 06/02 23:36