作者edwardlo0204 (edward)
看板Electronics
标题Re: [问题] bandgap问题
时间Mon May 3 19:02:33 2010
※ 引述《jfsu (水精灵)》之铭言:
: ※ 引述《edwardlo0204 (edward)》之铭言:
: : 请问一下我模拟的bandgap电路,温度是-20~80 结果输出波形解析度很低,如下所示:
: : 1.1982 ------ ---------
: : 1.1981 \------- /
: : 1.198 \----- -------
: : 1.1979 \---- /
: : 1.1978 \----- ------
: : 1.1977 \----/
: : 请问该怎麽解决,跟我算出来的值不太一样
: : 而偏压电阻很难调整,会搞到 10.xxk 这样算正常吗?
: : bandgap有限定说一定要波形向下凹的才能用吗?
: : 请高手帮忙.....非常感谢
: 1.先确定你用来跑模拟的Model参数有没有问题?
: 2.你是CMOS还是BJT的bandgap电路?是正常的1.2~1.25V还是1V以下?是点几的制程?
: 3.Bandgap的输出对温度曲线,理论上应该是一个开口向下 "︵"的图形
: 而实际下线後,量测Si的资料,是有可能开口往上。
: 4.调电阻主要是针对正温度系数(Vbe)与负温度系数(电阻)作温度的补偿,使曲线
: 尽量在某温度范围内维持直线,即不受温度影响,这跟上图开口向上的曲线是无关的
: 个人怀疑,你电路中的电晶体有些可能偏离的正常的操作区。
: 5.关於你的问题:〔电阻搞在10.xxK,这样算正常吗?〕,我会告诉你,这很正常。
1.参数应该是没问题 2.bjt电路
http://uploadpie.com/tk7cz
3.约靠近1.19V左右 点35制程
4.从list来看工作好像都正常
***bamdgap_2***
.lib 'mm0355v.l' tt
.lib 'mm0355v.l' bip
vdd vdd gnd dc 3.3v
m1 1 1 4 gnd nch w=30u l=3u
m2 2 1 3 gnd nch w=30u l=3u
m3 1 2 vdd vdd pch w=30u l=3u
m4 2 2 vdd vdd pch w=30u l=3u
m5 vo 2 vdd vdd pch w=30u l=3u
q1 gnd gnd 4 pnp10 area=1
q2 gnd gnd 5 pnp10 area=8
q3 gnd gnd 6 pnp10 area=8
r1 3 5 1.16k
r2 vo 6 10.13k
.op
.dc temp -20 80 1
.print v(vo)
.end
***********************************
element 0:q1 0:q2 0:q3
model 0:pnp10 0:pnp10 0:pnp10
ib -7.6202u -7.3280u -7.5029u
ic -42.7211u -42.3670u -43.3713u
vbe -730.4812m -674.9371m -675.5512m
element 0:m1 0:m2 0:m3 0:m4 0:m5
model 0:nch.10 0:nch.10 0:pch.10 0:pch.10 0:pch.10
region Saturati Saturati Saturati Saturati Saturati
id 50.3413u 49.6950u -50.3413u -49.6950u -50.8742u
Vref=vbe3+(R2/R1)VT*ln(n)......这样应该是对吧....(1)
VT*ln(n)=0.053....忘记怎麽算出来
1.2(design)=0.675+(R2/R1)*0.053
(R2/R1)=9.9056....理论值
(R2/R1)=10.13/1.16=8.732...实际值
如果从第(1)式来看左右移相後再取e可以得到n的值,e的n次方是非常大的
所以我比较好奇的是不是因为跟e有关造成解析度的问题...
最後谢谢你的回答, 我会再仔细研究研究!!
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