※ 引述《wwwok (AIC)》之铭言： : 如题 想请问一下各位高手 : 为什麽MOS中D端和S端在G端底下会延伸出去一点? : 为什麽不刚刚好切齐对准就好? : 根据我翻书的结论 好像是因为制程上的关系 : 离子布植和退火後扩散所造成的 : (印象中是不是有一个离子布植的角度?好像是七度还六度的) 就算切齐对准，曝光机一照，绕射与干射不会让你有个正正方方的图案。 而且加上离子布植和退火，使得这些参杂原子扩散至周围。 至於你说的角度，那是因为怕离子布植时，入射原子会沿着某个方向直直地打入最深层。 : Cgs和Cgd的形成是因为这样来的吗? : 这两个电容对於MOS又会造成何种影响呢? : 谢谢各位 switch time会变长。 Cgs与Cgd应该包括了自己与fringing effect的部份。 --

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