作者h816090 (～Argon～)
看板Electronics
标题[问题] 半导体
时间Fri Apr 9 00:30:33 2010
有三个关於半导体的问题想要请教一下
1. 拿pn junction去做solar cell，照光去打~产生电子电洞对
拉出来产生电流
那如果加热~温度很高~一样会产生电子电洞对~为什麽量不到电流呢?
都有pn junction~为什麽加热这个方法却行不通呢?
2. 不管是蒸镀铝或是e-gun镀金或银
为什麽看的是融点~而不是沸点呢? 不是要使金属挥发成气体~在去镀吗?
怎麽大家都是在谈融点呢?><"
3. 在蚀刻时~(111)面速度比(110)面慢~可是为什麽面原子密度却是
(110)面比较大呢?~照理说面原子密度大的~蚀刻速度慢~这点没错吧?><"
算原子密度不是正好可以去判断蚀刻时的快慢吗? 谢谢
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.231.150.43
1F：推 bruan43:1.必须由光子产生的能量=hv才能产生电流. 04/09 01:35
2F：→ bruan43:2.蒸镀的材料一般是固态颗粒状,因此考虑的是熔点. 04/09 01:37
3F：→ bruan43:3.没记错的话,111面比110面的原子密度大,蚀刻会较110面慢. 04/09 01:39
4F：→ bruan43:以上是我个人浅见,不对之处请指教包涵... ^^ 04/09 01:41
5F：→ h816090:111面原子密度比110面小喔 我是指材料Si谢谢 04/09 21:13