作者jfsu (水精灵)
看板Electronics
标题Re: [问题] MOSFET High Frequency的Cgs和Cgd
时间Tue Mar 2 13:50:26 2010
※ 引述《kameng (kameng)》之铭言：
: 最近读到Smith的电子学
: 里边MOSFET的High Frequency Model
: 有提到在Saturation Mode的Cgs=2WLCox/3, Cgd=0
: 但却没有说明这两个式子怎麽来的
: 想问一下各位
: 有甚麽有关的书籍或论文有说明到这些电容值是怎麽求出来的吗
: 谢谢
MOS总电容在考虑操作范围时可以简化为
Cg = Cgb + Cgs + Cgd
Cgb :gate to bulk capacitance
Cgs,Cgd :gate to channel capacitance (which are lamped at soirce and drain
region of channel)
依你的问题，在饱和区(Saturation Mode, Vgs - Vt < Vds)操作时，
通道为强反转，汲极区(Drain region)为夹止状态(pinch-off)，所以Cgd = 0
Cgs呢？推文的p大已经给你答案了，不过，该章节也是参考底下这本书
(推导的成过程有点烦杂+恶心，简化的部份则是用泰勒展开式...。)
书名：Device Electronics for Integrated Circuits
版本：3rd
作者：Richard S. Muller, Theodore I. Kamins,
出版社：John Wiley & Sons, 出版日期：1986-01-01
ISBN：0471887587
推导的成过程有点烦杂，简化的部份可用泰勒展开式...。
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对流血一周仍然不死的生物千万不能大意……。
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