作者TripleC ( 沈默...是真神 )
看板Electronics
标题Re: [请益] 各位大大请问一下 小弟最近在研究SDRAM …
时间Fri Dec 18 23:22:51 2009
※ 引述《KEVEN0906 (A_KEVEN)》之铭言:
: 小弟最近在研究SDRAM的一些指令时脉图 有一些问题想要请教大大们
: 可是在孤狗大师的资料都是一些简体字 看的不是很懂希望大大们可以
: 帮我解惑一下 感激不尽!
: 1. 为什麽读指令会有CL的产生 而写指令就可以即时??
: 是和本身储存单元的物理架构有关吗?
write也会有CWL, 你讲的是DDR or DDR2 or DDR3?
: 2. precharge和refresh的意思看不太懂 可以白话一点说明吗?
先去看一下word line, bit line怎麽把资料读出来的
precharge应该就懂了
refresh 是因为SDRAM用电容当记忆单元, 有leakage, 每隔一段时间要补回去
: 3. 我看一些相关的简体资料 都有说到为了要让工作更有
: 效率 所以会利用自动预充电 但是资料都是show读的自动
: 预充电时脉图 而没有写的自动预充电时脉图
: 是否有读的自动预充电时脉图?
: 还是因为写不能和预充电一起工作 所以没有读的自动预充电的关系吗?
读写都有AP
: 4. 因为目前查的资料都是简体字 看得很乱 是否有繁体的书在讲命令的时
: 脉图可推荐的?
如果英文还可以的话, 直接看jedec spec
但我个人偏好micron的,排版比较精美 XD
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.4.104.22
1F:推 ykjiang:micron 的除了排版较好外,字句也比较精确好懂 12/18 23:24
2F:→ KEVEN0906:谢谢Triple大 12/18 23:41
3F:→ KEVEN0906:我讲的write 是奖DDR的上一代SDRAM 我看简体资料 12/18 23:42
4F:→ KEVEN0906:都说write没有延迟方面的问题 难道是我的资料有误吗? 12/18 23:43
5F:→ TripleC:古老的记忆体有可能CWL=0 or 1, 只是这应该...没人用了吧 12/19 10:15
6F:→ KEVEN0906:目前就是想要多蒐集一些资料 先讨论古老的SDRAM 12/19 12:20
7F:→ KEVEN0906:然後再慢慢看到DDR DDR2 DDR3 之类的优缺点 12/19 12:20
8F:→ KEVEN0906:所以现在才会看古老SDRAM的一些指令和时脉图 12/19 12:21
9F:→ KEVEN0906:现在micron还找的到古老SDRAM的命令和时脉图的关系吗? 12/19 12:23
11F:→ KEVEN0906:感激 谢谢pupu大!! 12/19 22:12
12F:推 pupucar:顺便说一下Google真的好用 我3秒就找到 比你在这问快多了 12/20 13:57