作者ohya74921 (加百利)
看板Electronics
标题[问题] hspice 制程档参数问题
时间Sun Dec 13 21:26:02 2009
在板上爬文有关「制程」、「参数」的文章
虽然有讨论，不过我对於回文及推文的解答
有点疑问所以想请各位指点一下
以下为 cic018 部份的内容
*3.3V NMOS
+DTOX_N_33 = 5E-10 DLINT_N_33 = -1.23E-8 DWINT_N_33 = 9E-9
+DVTH0_N_33 = 0.06 DCGDO_N_33 = -2.7E-11 DCGSO_N_33 = -2.7E-11
*3.3V PMOS
+DTOX_P_33 = 5E-10 DLINT_P_33 = -1.3396e-8 DWINT_P_33 = 3E-8
+DVTH0_P_33 = -0.06 DCGDO_P_33 = -2.6E-11 DCGSO_P_33 = -2.6E-11
*3.3V NMOS Deep_NWell
+DTOX_N_BPW_33 = 5E-10 DLINT_N_BPW_33= -1.33E-8 DWINT_N_BPW_33= 7E-9
+DVTH0_N_BPW_33 = 0.06 DCGDO_N_BPW_33= -2.7E-11 DCGSO_N_BPW_33=
-2.6E-11
*1.8V Low Vth NMOS
+DTOX_N_LV_18 = 2.5E-10 DLINT_N_LV_18 = -2.43E-8 DWINT_N_LV_18 =
1E-8
+DVTH0_N_LV_18 = 0.05 DCGDO_N_LV_18 = -10*0.9 DCGSO_N_LV_18
= -10*0.9
*1.8V Low Vth PMOS
+DTOX_P_LV_18 = 2.5E-10 DLINT_P_LV_18 = -1.5E-8 DWINT_P_LV_18 =
1E-8
+DVTH0_P_LV_18 = -0.05 DCGDO_P_LV_18 = -10*0.9 DCGSO_P_LV_18
= -10*0.9
*3.3V Low Vth NMOS
+DTOX_N_LV_33 = 5E-10 DLINT_N_LV_33 = -3.93E-8 DWINT_N_LV_33 =
1E-8
+DVTH0_N_LV_33 = 0.05 DCGDO_N_LV_33 = -10*0.09 DCGSO_N_LV_33
= -10*0.09
*3.3V Low Vth PMOS
+DTOX_P_LV_33 = 5E-10 DLINT_P_LV_33 = -2.5E-8 DWINT_P_LV_33 =
1E-8
+DVTH0_P_LV_33 = 0.05 DCGDO_P_LV_33 = -10*0.9 DCGSO_P_LV_33
= -10*0.9
有几个小问题想请问一下
1. 以 3.3V NMOS 为例，意思是只要设定电晶体时後面model名称打 N_33
他就会到这一块抓资料，打N_18就会到1.8V那个区块抓资料，是吗？
2. 我设计电路，手算部份需要 unCox 的值，不过在参数档里
找好像只有 tox 的值 (例如+DTOX_N_LV_33 = 5E-10)
可是似乎没有 eox 的值 (还是说取真空的电容率？
而un又要到哪找？
麻烦各位高手指点一下
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 114.25.180.138
1F：推 windboy0620:eox应该可以用3.9*8.84*1e-14吧? 12/13 21:56
2F：→ windboy0620:就大概估一下 12/13 21:57
3F：推 pow:Cox要用eox除tox去算阿 单位要注意喔 12/14 01:32
4F：→ ohya74921:那un呢...以及 eox 的值是一楼所说的吗？那个值是oxide 12/14 01:36
5F：→ ohya74921:的电容率？ 12/14 01:36