作者jfsu (水精灵)
看板Electronics
标题Re: [问题] PN-junction的esd设计
时间Wed Nov 11 19:24:10 2009
※ 引述《gyamwoo (愿神赐福给台湾)》之铭言:
: 各位好。
: 我在课本上看过这样的esd电路
: http://img686.imageshack.us/img686/3938/diodeesd.png
: LAYOUT大致是这样画的
: http://img190.imageshack.us/img190/17/diodeesdlayout.png
: 其中那两个diode是用p型和n型guard ring做的。
: 我现在有个问题,这个PN JUNCTION要多大的面积才有ESD的效果
: 还有PN JUNCTION 在 tsmc0.18UM CMOS的制程下。其接面特性如
: 何?例如接导通电位,欧姆接面阻抗,逆偏崩溃电位电流等等,
: 完全没有概念。
: 还是说使用LVS认得到的DIODE去做这个ESD呢?
先说明一下:
一般的ESD电路有两级,你图片上显示的是第一级(primary),它是是用於
HBM(Human Body Mode)与MM(Machine Mode)。第二级(Secondary)则是用於
CDM (Charge Device Mode)。
图中所使用的限流电阻R=3K,基本上,虽然它有ESD作用,但这阻值太大了,讯号经过
会有衰减(IR drop)。由於ESD电路本身不该影响晶片内部电路的正常运作,以这种架构
而言,该电阻值通常约几十~几百欧姆即可,材值是poly或diffusion(有些甚至不使用
电阻,直接用长的M1线来代替。因为有些PAD与ESD电路是放在不同的位置,其中可能距离
几百um以上,寄生的电阻即可拿来替代使用)
另外,关於你提到的要多大面积才有ESD效果。
我想,你必须要求TSMC提供0.18um 的ERC与ESD的DRC,里头一定会写明P+/N-well或是
N+/P-well在某条件下(Ex面积 a= 40um^2)测得它的ESD trigger level(Itrig, Vtrig
或Itr2, Vt2)或是接面崩溃电压(junction breakdown)
如果你无法问的到,那只能从TSMC给你跑模拟的Model卡去找。
最後,LVS应该认不出这是什麽样的diode,而用DRC可能会出现假错。
你必须用ESD的DRC去check这些ESD diode是否符合rule。
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